Bakropis
1) Idite na BSG
Silikonske pločice se peru u stroju za čišćenje lanaca plutanjem na vodi (sa stražnjom stranom u kontaktu s otopinom kiseline) kako bi se uklonio BSG sa stražnje strane. Glavna komponenta kisele otopine je 24,5% HF, a glavna jednadžba kemijske reakcije uključuje:
HF SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
Nakon pranja vodom i sušenja vjetronožem ulazi u sljedeći proces. Oprema stroja za čišćenje BSG je poluzatvoreni uređaj koji uključuje spremnik za kiselinu, spremnik za čišćenje čiste vode i inducirani sustav propuha za stvaranje okoline mikro negativnog tlaka unutar opreme i prikupljanje hlapljivih plinova.
Glavno onečišćenje u ovom procesu uključuje kiseli otpadni plin (G4) koji sadrži HF, koji se skuplja kroz cjevovode i šalje u toranj za pročišćavanje kiselog otpadnog plina na obradu. Kisela otpadna voda visoke koncentracije koja sadrži fluorovodičnu kiselinu (W10) i opću kiselu otpadnu vodu za čišćenje (W11).
2) Pozadinsko jetkanje
Kako bi se poboljšala refleksija stražnje strane silicijske pločice, stražnja strana silicijske pločice polirana je lužinom i sredstvom za poliranje.
Odjeljak za alkalno poliranje (6 redaka) uključuje module kao što su prethodno čišćenje, pranje vodom, alkalno poliranje * 2, čišćenje vodikovim peroksidom (rezervirano), mikro baršun (rezervirano), čišćenje čistom vodom, naknadno čišćenje, čišćenje čistom vodom, pranje kiselinom * 2, pranje čistom vodom nakon ispiranja kiselinom, polagano povlačenje prije dehidracije, sušenje * 5, itd. Cijeli proces povratnog jetkanja odvija se automatski van, koristeći prijenosnu ruku za slanje prethodno očišćenih silikonskih pločica u područje punjenja stroja za alkalno poliranje. Silicijske pločice prolaze kroz različite spremnike protiv korozije i čišćenja u automatskom zatvorenom stroju za lužno poliranje kroz valjke. Oprema automatski kontrolira dopunjavanje kiseline, otopine lužine i čiste vode u svakom modulu. Otopina kiseline i lužine u spremniku se pumpa kroz cjevovode, a otpadne vode u spremniku redovito se ispuštaju.
3) Prethodno čišćenje
Nakon obrade, silicijska pločica ulazi u spremnik za čišćenje kako bi se uklonile zaostale organske tvari i osigurala čistoća površine silicijske pločice, čime se do određene mjere poboljšava učinkovitost pretvorbe baterije. Uronite napunjene silikonske pločice u prethodno čišćenje, dodajte čistu vodu u spremnik i dodajte odgovarajuću količinu otopine NaOH ili otopine za čišćenje (očekuje se da koncentracija NaOH bude {{0}}).39%, koncentracija H2O2 je očekuje se 0,61%) prema omjeru za čišćenje na visokoj temperaturi (60 stupnjeva). Izvršite čišćenje čistom vodom nakon prethodnog čišćenja. Čišćenje čistom vodom je potpuno čišćenje preljevom uranjanjem, koje se provodi na sobnoj temperaturi 100 sekundi.
4) Alkalno poliranje i pranje
Alkalni spremnik za poliranje opremljen je čistom vodom i dodana je odgovarajuća količina otopine NaOH i aditiva za poliranje (otopina NaOH je oko 1,6%, koncentracija sredstva za poliranje je 0,97%). Zatim se stražnja površina silikonske pločice polira na radnoj temperaturi od 65 stupnjeva. Operite lužinom prije ispiranja čistom vodom. Kemijske reakcije koje se događaju tijekom procesa bacanja lužine su sljedeće:
Si+2NaOH H2O=Na2SiO3+2H2↑
Radna temperatura spremnika za alkalno pranje je 65 stupnjeva, a vrijeme alkalnog pranja je kontrolirano na 220 s.
5) Naknadno čišćenje i proizvodnja mikro baršuna
Dodajte čistu vodu u spremnik i dodajte odgovarajuće količine otopine NaOH i vodikovog peroksida (otopina NaOH oko {{0}}.55%, koncentracija vodikovog peroksida 0,25%) prema omjeru za čišćenje na sobnoj temperaturi. Nakon čišćenja izvršite čišćenje čistom vodom.
Kemijske reakcije koje se događaju tijekom procesa mikro baršuna su sljedeće:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
6) Ispiranje kiselinom
Nakon naknadnog čišćenja treba upotrijebiti razrijeđenu otopinu kiseline ({{0}}.9% HCl i 0,23% HF) za čišćenje visoke čistoće. Funkcija HCl je neutralizacija zaostalog NaOH, dok je funkcija HF uklanjanje oksidnog sloja na površini silicijske pločice, čineći je hidrofobnijom i stvarajući silicijev kompleks H2SiF6. Kroz kompleksiranje s metalnim ionima, metalni ioni se odvajaju od površine silicijske pločice, smanjujući sadržaj metalnih iona i pripremajući se za difuzijsko vezivanje. Očistite čistom vodom nakon pranja kiselinom.
Kemijske reakcije koje se događaju tijekom procesa kiseljenja su sljedeće:
HCl NaOH=NaCl H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
Radna temperatura spremnika za kiseljenje je na sobnoj temperaturi, a vrijeme kiseljenja je kontrolirano na 100 sekundi.
7) Sušenje
Prebacite polagano izvučenu prethodno dehidriranu kristalnu silikonsku pločicu u spremnik za sušenje i upuhujte vrući zrak na 90 stupnjeva gore i dolje na pločicu za sušenje, koristeći električno grijanje.
U gore spomenutom procesu povratnog jetkanja, procesi prethodnog čišćenja, alkalnog poliranja i naknadnog čišćenja stvaraju alkalnu otpadnu vodu visoke koncentracije koja sadrži natrijev hidroksid (W12, W14, W16) i opću alkalnu otpadnu vodu za čišćenje (W13, W15, W17). Proces ispiranja kiselinom stvara kiselu otpadnu vodu visoke koncentracije koja sadrži klorovodičnu kiselinu i fluorovodičnu kiselinu (W18) i opću kiselu otpadnu vodu za čišćenje (W19, W20). Gornji postupak se izvodi u zatvorenom stroju za bacanje lužine. Proces ispiranja kiselinom će ispariti i proizvesti kiseli otpadni plin (G5) koji sadrži HCl i HF, koji će se sakupiti kroz cjevovode i poslati u toranj za ispiranje kiselog otpadnog plina na obradu.
In situ dopiranje taloženja POPAID-a
POPAID proces je ključna tehnika za pripremu pločastih premaza integracijom tunelskih oksidnih slojeva i slojeva dopiranog kristalnog silicija.
Prvo, silikonska pločica ulazi u komoru za punjenje pod atmosferskim uvjetima, prenosi se u komoru za predgrijavanje na 300 stupnjeva, a zatim ulazi u procesnu komoru PO. U to vrijeme, O2 se transportira do bloka za odvajanje plina kroz dušnik, i aktivira ga RF napajanje radi ionizacije. Ioni oksidiraju na površini silicijske pločice, tvoreći tunelski oksidni sloj; Zatim silikonska pločica prolazi kroz prijelaznu i međuspremničku komoru i prenosi se u plaćenu komoru. Plaćeni izvor taloži određenu debljinu amorfnog silicija na poleđini supstrata, a plin PH3 se uvodi tijekom procesa taloženja. Plinoviti fosfin ulazi u stroj i pobuđuje se u stanje fosfornih iona pomoću 10kev i 05-2kev visokonaponske radiofrekvencije. Visoki napon istosmjerne struje dodaje se između izvora iona i uzemljenja, tako da ioni fosfora dobivaju energiju kroz visokonaponsko električno polje. Širina grede je 420 mm, a zatim se silikonska pločica prenosi na dno grede. Tijekom procesa letenja atoma plaćenog izvora prema supstratu, oni nose ione P ili reagiraju s ionima P kako bi postigli in-situ dopiranje fosforom.
Glavna jednadžba reakcije je: PO+PAID＝POPAID
Plazma oksidacija (PO): SiH4+O2 → SiO2
In-situ potpomognuto dopiranje plazmom (PAID): Si (izvor)+PH3 → n-Si
Nakon završetka reakcije, upuhuje se dušik i ion se ubrizgava u samostalni adsorbent, s učinkovitošću obrade do 100%. Koncentracija fosfina prije ulaska u adsorpcijski toranj je 179,05 ppm, a nakon adsorpcije nije otkriven PH3. Ovaj projekt planira povezati ovaj ispušni plin s tornjem otpadnog plina DA003 za obradu i zatim ga ispustiti. U isto vrijeme, poduzeće planira instalirati automatski alarm za istjecanje fosfora s granicom detekcije od 0,1 mg/m3.
Analiza procesa proizvodnje onečišćenja: Glavni procesi onečišćenja u ovom procesu su Ar, PH3 i N2 uvedeni tijekom procesa, koji se prikupljaju namjenskim cijevima i šalju u toranj za pročišćavanje kiselog otpadnog plina na obradu.